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TK12A65D中文资料

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  • 描述:TK12A65D 1 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS) TK12A65D TK12A65D TK12A65D TK12A65D 1. 1. 1. 1. Applications Applications Applications Applications ? Switching Voltage Regulators 2. 2. 2. 2. Features Features Features Features (1) Low drain-source on-resistance: R DS(ON) = 0.46 ? (typ.) (2) High forward transfer admittance: |Y fs | = 6.0 S (typ.) (3) Low leakage current: I DSS = 10 μA (max) (V DS = 650 V) (4) Enhancement mode: V th = 2.0 to 4.0 V (V DS = 10 V, I D = 1 mA) 3. 3. 3. 3. Packaging and Internal Circuit Packaging and Internal Circuit Packaging and Internal Circuit Packaging and Internal Circuit 1: Gate (G) 2: Drain (D) 3: Source (S) TO-220SIS 4. 4. 4. 4. Absolute Maximum Ratings (Note) (T Absolute Maximum Ratings (Note) (T Absolute Maximum Ratings (Note) (T Absolute Maximum Ratings (Note) (T a a a a = 25 = 25 = 25 = 25     unless otherwise specified) unless otherwise specified) unless otherwise specified) unless otherwise specified) Characteristics Drain-sourc

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更新时间:2023-01-06 17:58:19
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